Page 61 - Telebrasil - Julho/Agosto 1981

Tabela de comparação MOS x Bipolar quanto a fabricação:

MOS BIPOLARES

1 difusão 4 a 6 difusões

Não precisa de isolamento interno Precisa de isolamento interno

3 a 5 máscaras 6 a 8 máscaras

38 operações 130 operações
2 operações a > 1000°C 10 operações à > 1000°C

Ganho independente da difusão Ganno dependente da difusão

Superfície pequena Superfície grande

Famílias de Circuitos Integrados

Na classificação dos CIs de acordo a sua complexidade cres­

cente intervêm:

• Número de transistores por Cl; e

• Número de portas elementares.

Não existe uma correspondência absoluta entre estas duas

características. Por outro lado, as definições variam de fabri­

cante para fabricante. Na tabela a seguir, se encontram os se­

guintes tipos:

• SSI, de single size integration, ou integração de formato os circuitos de bolhas magnéticas, e também as variantes de

simples, de nível mais baixo;

MOS, que são as FAMOS e NMOS.
• MSI, de m édium size integration, ou integração de dimen­

são média;
As famílias integradas se definem por um certo número de
• LSI, de large scale integration, ou integração em larga esca­

la; características, e as principais são:

• GSI, de great scale integration, nível superior.
1. ° — A velocidade com que o circuito é capaz de responder,

isto é, o tempo de propagação do sinal em uma porta elemen­

Complexidade Número de portas Número de transistores tar (em nanossegundos) ou então a freqüência de relógio má­

ximo que o circuito aceita (em kHzpu MHz).

SSI 1 a 10 inferior a 100

MSI 10 a 100 100 a 1.000

LSI 100 a 1.000 1.000 a 10.000 2. ° — O consumo, em miliwatt, para uma porta fundamental.

GSI Superior a 1.000 Superior a 10.000 Os circuitos que têm maior consumo são menos indicados à

LSI, devido à dissipação de calor.

3.° — O fator de qualidade do circuito, que simplesmente é o

produto das duas características anteriores, e se mede em pi-

cojoule.

Consumo
de uma porta

Tempo de Freqüência (mW)
propaga­ máxima de Fator de

Família ção do trabalho Em Em qualidade

sinal (ns) (kHz) repouso atividade (pj)

TTL

standard 10 35 10 10 100

Schottky

Standard 3 120 20 20 60

Schottky

baixa

potência 10 35 2 2 20

Fig. 8 — Evolução do preço e densidade dos CIs.

PMOS 100 5 0,5 0,5 ' 50

Nas aplicações a microprocessadores, as principais famílias NMOS 50 10 0,4 0,4 20

são PMOS, NMOS, CMOS, TTL Schottky, ECL e PL.

CMOS 60 10 0,0001 Segundo F 5

Se considerarmos agora as tecnologias (processos de elabora­
CMOS/

ção dos CIs), é necessário fazer intervir, além da tecnologia de SOS 3 100 0,0001 Segundo F 1

base mencionada, a SOS, a implantação iônica e a PL. No en­

tanto, este arsenal de tecnologias tende a crescer com o tempo. I2L 50 - 200 5 0,001 0,001 2

ECL 1 500 1 50 50 50

Finalmente, trata-se das aplicações especializadas às memó­

rias: temos, então, os circuitos de replemento de carga (CCD),
Fig. 10 — Famílias integradas e suas características