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sam as desvantagens, elas ultrapas O funcionamento interno do cristal não interna do cristal (efeito de avalanche)
sam-nas em peso. Melhorar o desem é muito simples. Mas è basicamente e do movimento de elétrons à velo
penho é evidentemente a grande van uma série de movimentos de elétrons cidade de saturação.
tagem oferecida pelos dispositivos do cujo efeito cumulativo causa uma os
Atualmente, o maior problema do
estado sólido e microcircuitos. Isto é cilação. Isto, por sua vez, pode ser
IMPATT é o ruído inerente que acom
primeiramente um resultado da es utilizado para gerar potência de saída.
panha qualquer componente que
tabilidade quase perfeita que pode ser A oscilação é conhecida por efeito
utilize a técnica de avalanche. Cavi
alcançada se usarmos circuito de filme Gunn, em homenagem ao seu des
dades estabilizadas tèm sido capazes
espesso e outros circuitos híbridos in cobridor, J.B. Gunn. O dispositivo em
de reduzir o ruído da avalanche a níveis
tegrados nos sistemas de comuni si consiste de um cristal Ga As dopado
razoáveis para alguns dispositivos para
cação. Também aumenta a rigidez dos e montado em um suporte numa
aplicações limitadas a níveis de fre
próprios componentes, adicionados es cavidade dissipadora de calor e ro
qüências mais baixas.
pecialmente para a confiabilidade do deado por material dielétrico.
sistema. Mas problemas tais como ruído, calor e
Osciladores Gunn fornecem potência
baixa capacidade limitada de tensão
Uma considerável vantagem de custo CW com picos de saída variando de al
é realizada desde que as técnicas de guns miliwatts até cerca de 1 Kilowatt, não são insuperáveis. Um ou outro
desses dispositivos serão destinados à
fabricação sejam prontamente adap dependendo da freqüência. Quando a
substituição dos trasmissores a válvula
táveis aos métodos de produção em freqüência se eleva, cai a potência de
massa. saída. Potência média baixa é uma das num futuro visível.
limitações do Gunn. Até agora, não foi No estado atual de arte, nenhum des
No estado atual da arte de microe-
possível gerar suficiente potência ses dispositivos aqui discutidos é
letrônica existem ainda muitos pro
média de saída em freqüências bas capaz de realizar o trabalho de uma
blemas. Altas perdas na linha, ca-
tante altas, na faixa de microondas. fonte de potência convencional a vál
pacitâncias parasitas e outros modos
vula. Entretanto, alguns tipos de cir
espúrios semelhantes. Diafonia num Um dos outros fatores que limita a
cuitos híbridos incorporando carac
circuito telefônico estão entre os mais presente utilização dos dispositivos
terísticas de muitos desses componen
difíceis considerados pelos enge Gunn ê a inerente disposição de calor.
tes são esperanças de uma nova área
nheiros. Limitadas características de Eles são confiáveis para somente
de interesse.
operação de voltagens e potência 100°C.AIém desse limite, o circuito
apresentaram raros problemas. falha.
MIC'S
Além do mais, o alto potencial de Os componentes LSA.entretanto,não Dentro de certos limites de freqüência
acondicionamento de circuitos mi- são tão problemáticos. Semelhante ao e potência, o dispositivo mais eficiente
niaturizados em substratos, pode criar efeito Gunn, acumulação limitada de em uso atualmente são os MIC'S
problemas de condutividade de calor. espaço-carga è um fenômeno que tor híbridos empregando técnicas de filme
na a potência de saída na faixa de fino e espesso.
Os problemas entretanto não são in microondas viável em cerca de 1 watt
superáveis. A arte está ainda se ini ou mais. Nesse caso,a oscilação é o Circuitos integrados em microondas
ciando (e mesmo alguns problemas es resultado de resistência negativa num empregando linhas de transmissão
tão sendo ainda detectados). elevado campo de polarização dc. microfita têm sido aplicados com con
siderável sucesso nas freqüências mais
Os problemas são extremamente com
Diferente dos dispositivos que usam o baixas. Mas, devido ao pequeno ta
plexos e variam com cada novo dis
efeito Gunn, a saída de potência de um manho do circuito, as perdas de trans
positivo do estado sólido capaz de
oscilador LSA independe da freqüên missão são altas se comparadas às dos
gerar e manipular um sinal com potên
cia. Isto é porque o acúmulo de espaço- guias de onda ou cabos coaxiais. Isto
cia suficiente para propagação em on
carga não é função do tempo de trân se torna um fator limitativo nas apli
da contínua (CW) na freqüência de
sito dos elétrons (um fator impor cações de alta potência. Umas das
microondas.
tante nos diodos Gunn). Quando a es ironias da microeletrônica é o fato de
pessura da região ativa de um diodo que à medida que os engenheiros
Três candidatos
Gunn cresce, a eficiência decresce melhoram o desempenho dos mi
Progressos têm sido feitos. Atualmen correspondentemente. Isso não acon crocircuitos eles se tornam mais vul
te, algumas das substancias mais tece com os diodos LSA. neráveis à potência e ao calor.
utilizadas são os cristais de Galio-
Um oscilador LSA pode ser tantas Conseqüentemente, a habilidade para
Arsênio (Ga As) em díodos Gunn, cir
vezes mais espesso de que um diodo gerar potências de saída operacionais é
cuitos LSA (espaço carga limitada),
Gunn da mesma freqüência. Con- limitada pela técnica em si. Porém,
IMPATT (avalanche impacto tempo de
seqüentemente, ele resiste à voltagem mais uma vez, esses problemas são
trânsito) e outros diodos de avalanche.
e temperaturas muito mais altas, ê considerados apenas como tempo
capaz de produzir, consistentemente, rários.
Um cristal Ga As pode ser feito para
potências médias de saída mais altas.
oscilar em freqüências na faixa de Sistemas de radiofreqüência em
microondas simplesmente se o sub Um diodo IMPATT é uma simples fun microondas menores, mais estáveis e
metermos à alta tensão (polarização ção PN de silício, capaz de gerar mais mais confiáveis é uma das promessas
dc.) Para que o elétron alcance a de 1 W att de potência CW em 12 GHz. oferecidas pela arte da microeletrô
atividade desejada, o cristal deve ser Aqui também a oscilação é o resultado nica. Sistemas compactos e transpor
dopado com um elemento externo do efeito da resistência negativa, táveis de radar, uma outra. A idéia de
como o enxofre ou selênio. causado pela combinação da emissão pequenos e altamente transportáveis