Page 36 - Telebrasil - Julho/Agosto 1976
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COMPONENTES MODERNOS
GÁLIO SUBSTRATOS
epitaxia em rase vapor (VPE) e epitaxia
em fase líquida (LPE).
VPE — Método do tricloreto
de arsênico
0 principio consiste no transporte de
Ga pelo As CI3; a figura 1 mostra o es
quema de um reator típico.
0 niarogenio purmcaao por difusão
sobre membrana de Paládio é utilizado
como gás de transporte. Uma parte
deste hidrogênio está saturado a 21 °C
por vapores de A$ CI3 e entra em con
tato com o Ga a 850°C dentro do
reator, formando equilíbrios complica
dos de H2# ASCI3, Ga.
Os gases são arrastados a uma segun
da zona do reator, onde existe um
gradiente de temperatura e onde se
encontram com os substratos a 750°C.
As constantes de equilíbrio são mo
dificadas e o equilíbrio se desloca em Fig 1 Reator para epitaxia em fase vapor (VPE)
sentido favorável à formação de Ga
As.
BANHOU
Para obtermos bons resultados os
pontos importantes são:
BANHOl
GUIA DE
— materiais de grande pureza (H2, Ga, GRAFITO
AsCI3 a 99, 99 99%);
— grande pureza e limpeza dos ma
teriais constituintes do reator (quar SUBSTRATO
tzo sintético);
— boa hermeticidade do conjunto.
"BOAT" DE GRAFITO
A velocidade de crescimento varia com
a temperatura, pressão parcial dos BARRA DE QUARTZO
constituintes e orientação cristalográ-
fica. A dopagem do cristal é obtida
pela introdução de um fluxo suplemen
A T ( °G )
tar contendo vapores bem diluídos dos
dopantes. (H2S ou h^Se).
LPE
O método mais utilizado e o de s/iding
boat ilustrado na figura 2.
0 bote é de grafite de alta pureza e os
substratos são tipicamente de 3 x 1
crri2
As camadas epitaxiais crescem por es
friamento transitório a partir de tem
peraturas entre 710°C e 740°C As
velocidades de esfriamento variam de
0,2 a 2°C/min. A espessura da camada
é controlada pelo tempo de crescimen
to A dopagem é a residual da solução
Ga - GaAs e pode ser variada por
prá-cozimento do banho Fig. 2 Reator para epitaxia em fase líquida. (LPE)
