Page 35 - Telebrasil - Julho/Agosto 1976
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Componentes modernos
a semicondutores para geração
e amplificação de microondas
ROBERTO SPITALNIK
Formado em Engenharia Industrial (op semicondutores pare microondas (física,
ção Telecomunicações), na Faculdade de tecnologia e aplicações) e publicou
Engenharia da Universidade de Mon numerosos artigos em diferentes revistas
tevideo — Uruguay. internacionais.
Realizou Pôs GradunçAo na Unlvorsidado Desde 1974 6 responsável, na S.A. Philips
de Nancy França, em Eletrônica e do Brasil - Divlsflo Inbelsa, pelo Depar
Física Nuclear o obteve seu titulo da Doc- tamento do Componentes, Tecnologia e
tourlngénieur (opção Física Eletrônica), Estudos Avançados, que estuda os as
da Faculdade de Ciências da Universi pectos do confiabilidade dos componen
dade de Paris em 1970. tes nacionais o a implantação de novas
tecnologias.
Desde 1966. nos laboratórios da Cia.
Philips em Paris, (primeiro em La Ra- É membro do IEEE, Grupos de Electron
diotechnique e depois nos Laboratoires Devices e Microwave Theory and Te
d'Electronique et Physique), realizou chniques e da Société Française des Elec
diversos trabalhos sobre componentes troniciens et Radio Électriciens.
I. Introdução tares) e, aparentemente, os fabricantes diodos Gunn, IMPATT, e Transistor a
destes equipamentos os estão utilizan Efeito de Campo. Depois apresen
Em um recente estudo do mercado do cada vez mais. taremos realizações e características
norte-americano de componentes de destes componentes em sistemas de
microondas, realizado pela firma Frost Existem várias razões para explicar es Telecomunicações.
e Sullivan^'), estimou-se em 37% a te processo, algumas imediatas: mi-
participação do item válvulas, em 23% niaturização de funções com corres II. Material de base — tecnologia
a de componentes passivos (ferrites, pondente ganho de espaço e con
circuitos, etc.) e em 21 J5% a de com fiabilidade, possibilidade de modu Passaremos em revista as diferentes
ponentes semicondutores, isto para a larização, a que se acompanha faci fases do processo de fabricação, até
fração não verticalizada desse mer lidade de montagem e manutenção, chegarmos ao produto final.
cado. menores custos. Outras razões menos
aparentes são ligadas a características A fabricação de componentes se
Foi predito neste mesmo estudo que o intrínsecas do componente: como micondutores para microondas com
crescimento de mercado de válvulas exemplo poderíamos citar o baixíssimo porta essencialmente as etapas clás
de microondas será de 1 % ao ano para fator de ruído do transistor FET a Ar sicas da tecnologia de semicondutores:
os próximos5 a 10 anos (praticamente seneto de Gálio (3 dB a 10 HGz), o que
estacionário), e que os sub-conjuntos permitiria sua utilização na função de 1) Crescimento cristalino do material
híbridos em microondas (microstrip) e pré-amplificação (na recepção e/ou de base.
componentes semicondutores cap emissão), com aumento apreciável da 2) Evaporação e/ou sputtering e/ou
turarão porções crescentes deste mer relação sinal-ruído (S/R) do sistema. ligas.
cado. A título de exemplo, os diodos Isto, por sua vez, permitiria, por exem 3) Fotolitografia.
IMPATT crescerão a taxas de 40% ao plo, aumentar a distância entre re 4) Ataques químicos.
ano, entre 1976 e 1980, o transistor petidoras ou diminuir a potência do es 5) Montagem/encapsulamento dos
FET a Arseneto de Gálio crescerá 37%, tágio de saida. componentes.
amplificadores IMPATT e osciladores a
cfiodo Gunn 20%, amplificadores de Neste artigo trataremos dos com
baixo ruído (Gunn ou FET) 15% ao ponentes mais modernos a Arseneto 11.1 Elaboração das camadas
ano. de Gálio. Este material apresenta alta Epitaxiais de GaAs
mobilidade e velocidade de saturação
Todos estes componentes são essen além de efeito de mobilidade diferen Dois métodos são utilizados para cres
cialmente incorporados aos equipa cial negativa, o que o faz ideal para cer as camadas mono-cristalinas de Ga
mentos de microondas (civis e mili fabricação de componentes, tais como As, para fabricação de componentes:
