Page 39 - Telebrasil - Julho/Agosto 1976
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COMPONENTES MODERNOS
lização da junção P+/N permite au A camada N tem 0,2 ij a 0,4 íj de espes
mentar o MTFR com pequeno sacrifí sura e concentração da ordem de 10^
4) Ataque químico através de máscara cio do rendimento. cm'3.
a partir do lado N+ para formar as
"mesas".
Transistor a feito de campo O gate é uma barreira Schottky metal-
5) Montagem, encapsulamento. a barreira metal-semicondutor semicondutor. Para realizar gates de
em GaAs
até 0 , 8 jj pode-se utilizar a seqüência
A barreira Schottky Pt — GaAs pode (fig. 5):
ser substituída por uma junção P + /N,
O material de base é uma camada
sendo a camada P+ (dopada com Ge) epitaxial do tipo N sobre substrato 1) Realizam-se mesas" por ataque
também realizada por epitaxia. A uti semi-isolante (fig. 5). químico seletivo da capa N.
2) Evapora-se A1 sobre a superfície.
3) Realizam-se os "gates" por foto-
litografia.
4) Evapora-se Au-Ge sobre toda a
superfície (os "gates" ficam pro
tegidos pelo foto-resist).
i CAMADA N 5) Se realizam os contatos ôhmicos
por liga a 480°C.
SUBSTRATO S .I
6) Montagem/encapsulamento.
FOTORESIST Com esta técnica conseguem-se gates
de 0,8 a 1 Jj em canais de 2,4 a 3jj . Para
realizar gates mais finos (0,5 jjem canal
de 1 ,5 jj) deve-se utilizar litografia por
feixe eletrônico.
III. Propriedades destes
componentes
Tanto o diodo Gunn como o IMPATT
apresentam, sob certas condições de
AL polarização, impedâncias com parte
real negativa em microondas, (fig. 6 e
7) .
A origem física desta propriedade é, no
caso do diodo Gunn, a mobilidade
diferencial negativa que aparece a par
tir de uma tensão crítica^). Para o
diodo a avalanche (IMPATT) é o efeito
de avalanche e tempo de trânsito que
introduz uma defasagem de aproxi
madamente 180° entre corrente e ten
são^).
Não nos deteremos com a física dos
fenômenos em jogo, o que fugiria de
nossos objetivos.
A propriedade de impedância negativa
é utilizada para realizar amplificadores
e osciladores.
III.1 Osciladores(4)
A condição a ser cumprida para obter-
se oscilação é, idealmente,
FOTOGRAFIA CORTES'A DO LABORATOIRE ,
D'ELECTRONIQUE ET PHY9IQUE APPLIQUEE-PARIS
Zc(ü)) + Zd(o).A) = 0 (1)
em que Zd é a impedância do diodo e
Zc é a impedância apresentada ao
mesmo pelo circuito.
