Page 40 - Telebrasil - Novembro/Dezembro 1988
P. 40
fusão físico-química é da ordem de 30 a
50 milhões de dólares. Isto para servir a
um m ercado b ra s ile iro de m icro
eletrônica, estimado em 400 milhões de
dólares, (representando menos de 2% do
mercado mundial).
Outro passo para a produção de CIs,
em escala industrial, é o da fabricação
de máscaras, que estará disponível, no
CTI, de Campinas, a partir de julho de
89, empregando recursos ópticos (para
raias de até 3 gm) e feixes eletrônicos
(para dimensões menores), segundo pro
m ete o diretor do CTI, Carlos Mam
mana.
É no processo físico-químico, tam
bém conhecido como Silicon foundry
(fundiçáo do silício), que se nota o maior
atraso. Por ora, a fita do projeto, feita
em computador, é enviada para fundi
ções no exterior voltando sob forma de
circuitos integrados (CIs). De acordo
com o 1“ Planin, foi atribuída às empre
sas privadas Sid, Elebra e Itaucom a in
cumbência de produzir componentes em
(E-DI Wanda Scartezinni (Sid), Carlos Morato (USP), Benedito F. de Oliveira (Finep), Cláu
dio Mammana (CTI). discutem microeletrônica, no Info’88. escala industrial (em troca de incenti
vos), importando-se apenas o silício ne
cessário, cuja tecnologia de obtenção fi
A área de projetos é uma das que está de chip deve o Brasil tentar produzir. caria circunscrita, a título de know-how
melhor servida no País. 0 CPqD da "Existem cerca de 200 a 300 fábricas no estratégico, à Universidade. A Elebra
Telebrás já projetou mais de trinta cir mundo, que formam o cartel dos compo teve crédito previsto de 11 milhões de
cuitos, do tipo dedicado, como por exem nentes de uso geral, tal como micro dólares, dos quais 30% foram, segundo a
plo destinado a equipar o telefone pa processadores e memórias, que reque Finep, liberados, mas o que tudo indica
drão eletrônico e está desenvolvendo rem investimentos entre 200 a 500 mi a tão esperada Silicon foundry ainda não
chip para interface da Rede Digital de lhões de dólares”, explica Kival Weber saiu do papel.
Circuito Integrado (RDSl), em tecnolo da SEI, dizendo que "por ora, este não No caso da Sid, disse Wanda Scarte
gia CMOS de 1,25 gm. "Já podemos pro deverá ser nosso tipo de negócio. Se zinni que a empresa "tomou a decisão de
jetar integrados com até 50 mil transis gundo ele, o País deve concentrar esfor entrar na fabricação de circuitos bipola-
tores e mais” — observa com certo orgu ços nos ASICs (Application System I n - res avançados (uma tecnologia robusta
lho Carlos Alberto Pisani, do CPqD. tegrated Circuits), cuja ordem de gran de grau m édio de integração) e em
CMOS (componentes de alta integra
Um problema que se coloca é que tipo deza de investimentos para ativar a di-
ção, baixo consumo e boa capacidade de
comutação digital), mas encontra difi-
cuklade em achar escala que viabilize o
volum e dos in v estim en to s a serem
Teitos”.
São mais de 500 produtos distintos
que a Sid relacionou como desneces
São seis fatores que contribuem para n elevada precisão. sários para atender ao mercado brasilei
obtenção de um Circuito Integrado (Cl): A fabricação de Cl exige a presença de ro. Este é m uito pouco padronizado,
projeto, fabricação de máscaras, processo elementos como silício monocristalino, visto contar com fornecedores e tecnolo
tísico-químico, insumos de alta pureza, gases reativos (arainu, fosfina) para dopa- gias de origens diversas, tanto no seg
encapsulamento e teste. O conjunto per gem, metais com alto grau de pureza (mo*
faz o denominado ciclo completo do silício, iibdènio, tungsténio, ouro) bem como ni- mento de telecomunicações quanto nos
se este foi o mineral de base adotado. A tretos, silicietos, óxidos e materiais semi de instrum entação e entretenimento.
parte de projeto é, em grande parte, auto condutores. Para se chegar ao silício mo Isto cria um problema de escassez na
matizada, graças à utilização de estações nocristalino, obtém-se do quartzo, por área de projetos e de máscaras neces
gráficas, banco de dados e ferramentas de processo siderúrgico,* o silício metálico sárias para viabilizar a produção de CIs
logícial. A arquitetura digital do cliip é que, purificado, dá o silício policristalino. num prazo curto de dois anos.
construída a partir de elementos singelos Este deverá ser fundido e crescido por epi- Para Wanda Scartezinni, náo se po
que são repetidos, regularmente, forman taxia (estiramento) resultando em um ci derá escapar de acordos internacionais
do blocos e estruturas maiores que com lindro monocristalino, cujas lâminas poli
põem o dispositivo de alta integração das formam as pastilhas (wafers)onde se visando a obtenção de máscaras para
(VLSI). A produção material de um Cl en rão feitos os CIs. fundir chips de uso geral, cujos projetos
volve a introdução de elementos químicos , O encapsulamento inclui a inserção de já estão disponíveis no mercado. Mas
(dopantes) em regiões do substrato do silí pinos, solda de terminais empregando não é só! A tecnologia para a fundição do
cio. Para isto, emprega-se processo lito metais nobres, como ouro, e proteção por silício, também deverá ser importada,
gráfico que requer a produção de másca cerâmica ou por epoxi. A fase de teste, que envolvendo investimentos da ordem de
ras, cujos layouta são ditados por fita de é grandemente automatizada, serve para 40 a 50 milhões de dólares. Jairo Cuper-
computador resultante da fase de projeto. identificar parâmetros do Cl e realimen- tino, do grupo Itaú, anunciou que a Itau-
Obtém-se as máscaras por processo de su tar, se preciso for, os processos das fases
cessivas ampliações e reduções fotográfi anteriores. O nível de tecnologia de um com e Elebra Microeletrônica iniciaram
cas. chip avalia-se pela dimensão mínima pos sondagens ju n to a grupos japoneses
Os processos físico-químicos com sível entre dois elementos gravados. As para licenciamento da fabricação de cir
preendem etapas como oxidação térmica sim, uma tecnologia de 1 míeron permiti cuitos digitais. Do lado de P&D uniram
do silício (em tornos de temperatura e at rá maior integração do que outra de 2,5 esforços as universidades e as empresas
mosfera controlados), a implantação ióni- micra. Meios ópticos permitem trabalhar Sid, Elebra e Itaucom, em torno do 2“
ca, a difusão de elementos, a deposição de até 3 micra, devendo se empregar a técni projeto de circuito integrado multiusuá-
filmes finos (pulverização catódica) e a ca de feixe eletrônico para se descer a di rio (em contraposição ao circuito dedi
corrosão por plasma. Todos estes proces mensões menores.. cado), visando obtenção de resultados, a
sos envolvendo operações industriais de
médio prazo. *