Page 52 - Telebrasil - Janeiro/Fevereiro 1980

As estruturas dos semicondutores sicamente material e o efeito de plasma mazenado. Isto inclui a memória de bo­

serão fabricadas utilizando novos pro­ que quimicamente interage para gravar lhas com uma capacidade de 64KBITS

cessos, tais como a implantação iônica o material darão origem a processos a num dispositivo de 5x6x0,4 mm, que é

e o recozimento a laser, eliminando os seco, permitindo geometrias mais pre­ permanente mesmo quando há ausên­

fornos térmicos. A gravação úmida cisas. cia de energia.

será substituída por dispositivos utili­

zando plasma e gravação iônicas. A As máquinas para produzir os semi­ A integração em larga escala pode

exposição fotográfica passará a ser condutores da década de 80 não serão ser definida como dispositivos con­

substituída pela exposição a elétrons baratas, falando-se em equipamentos tendo acima de 1000 comportas por

ou raios X e as máscaras serão elimi­ da ordem de 100 mil a 500 mil dólares, circuito e o impacto de tais dispositivos

nadas com a exposição direta dos ta­ porém, o alto volume de produção de­ na arquitetura dos computadores será

bletes (Bert Benson - MSN - Setembro verá baratear o custo unitário dos dis- tríplice: redução de custos para fun­

79). .positivos produzidos. ções e desempenhos similares, au­

mento de funções para custos iguais e

O aquecimento de materiais em pe­ O mundo dos semicondutores está implementação de novas funções re­

quenos fomos, de alto vácuo e com produzindo uma revolução tecnológica dundando em maiores facilidades de

temperatura controlada, pode criar nas telecomunicações e nos computa­ programação e de manutenção (J.

feixes de moléculas que interagem com dores. Os processos químicos e fotoli- Gabet-Datamation-Junho 79).

o substrato monocristalino, criando os tográficos utilizados para produzir cir­

depósitos epitaxiais desejados. Semi­ cuitos integrados ainda não alcançaram O custo de memória está caindo 30%

condutores assim obtidos poderão ser seus limites teóricos e as máquinas ao ano e o custo de gerar software está

feitos sob medida, com propriedades para produzi-los serão mais precisas, aumentando 15% ao ano. Os progra­

bem definidas. mais complexas e mais automáticas. mas utilizando memórias de alta capa­

cidade serão mais simples, pois não

A implantação iônica é obtida atra­ Um dos impactos dos semiconduto­ haverá mais a necessidade de se preo­

vés de um gás ou sólido aquecido e res de alta densidade é a simplificação cupar em otimizar a utilização de tais

descontaminado, gerando um feixe iò- mecânica dos dispositivos. Por exem­ dispositivos.

nico acelerando entre 1ÒKV e 800KV plo, o sistema X de comutação (Ingla­

incidindo sobre o tablete. A profundi­ terra) precisará 1/10 da área dos siste­ • Um dos problemas dos semicondu­

dade de implantação é controlada pela mas eletrônicos (G.A. Langley - Te- tores é a diversidade de tipos, o que

aceleração do feixe e o ângulo de inci­ lcphony - Junho 79). não facilita a economia de escala. Uma

dência sobre o mesmo. A quantidade das formas de contornar este inconve­

de impurezas é controlada pela intensi­ A integração de circuitos tende para niente é a fabricação de dispositivos

dade da corrente do feixe e pelo tempo 100 mil elementos ativos por pastilha, com 100, 500 ou 1.000 circuitos lógicos

de implantação. A implantação iônica é necessitando nesta faixa de processos independentes, que são depois microin-

muito preciosa e relativamente se pro­ de definições da ordem de 1 míeron ou terligados através de uma máquina

cessa a temperaturas mais baixas do menos. Atualmente, obtém-se linhas comandada por um computador que

que os métodos de difusão. com larguras da ordem de 8 míerons, efetiva junções entre os circuitos julga­

podendo chegar a 4 míerons. dos necessários (Datamation-Junho

• O laser e o feixe de elétrons são uti­ 79).

lizados para recozimento do silício. O A disponibilidade de memórias de

processo é preciso, permitindo um tra­ alta capacidade deverá facilitar o pro­ (Pesquisa e Ediíoria TELEBRASIL)

tamento térmico bastante localizado. jeto dos dispositivos de programa ar­

¥

• Um dos limites para a obtenção de

semicondutores com elevado índice de neral José Antonio Alencastro e Silva,

presidente da TELEBRÁS.
integração é o nível de resolução ótica O p e r a d o r a s

dos processos de microlitografia. Ou­ A TELEBRASÍLIA iniciou a etapa

tros processos estão sendo investiga­ final dos trabalhos de implantação dos

dos, tais como raios ultra-violetas, • TELEBRASÍLIA serviços telefônicos em mais oito muni­

feixe de elétrons e raios X moles, que A TELEBRASÍLIA já conta com seu cípios da região geoeconômica de Brasí­

permitirão linhas menores e, conse­ milésimo telefone público. Ele foi inau­ lia, no leste de Goiás, com o transporte

quentemente, maior densidade de cir­ gurado em 13/12/79, com uma ligação dos refletores do sistema de microon­

cuitos por tablete. Precisões de 01 a 02 do Secretário de Serviços Públicos do das, num total de 8.000 kg de materiais,

podem ser obtidas, com o controle dos Distrito Federal, José Geraldo Maciel, através de helicóptero, para um mono

para o Ministro das Comunicações, Ha- de cerca de 300 metros de altura, locali­
feixes a interferometros a laser. •
roldo Corrêa de Mattos, e a outra do zado próximo à cidade de Alvorada do

Coronel Danton Eifler Nogueira, presi­ Norte, onde está implantada a torre re­

• Além disso, o fresamento com íons dente da TELEBRASÍLIA, para o Ge­ petidora.

neutros que bombardeiam e retiram fi­