Page 47 - Telebrasil - Julho/Agosto 1976

Conclusão Referências

A próxima década verá uma explosão (1) Microwaves — Vol. 14, NP 12, tems 1975 IEEE Int^ Solid State

no mercado de rádio-enlaces neste Dec. 1975, p. 10 Circuits Conf. Digest — p. 134

país. Não existem dúvidas sobre a utili­ (2) J. B. Gunn — effect of Domain (February 1975). - B.S.T.J, Vol.

zação crescente de componentes a Ar- and Circuit Properties on Oscil­ 55. NP 2, p. 167 (Feb. 1976).

seneto de Gálio, nos sistemas mais mo­ lations in GaAs IBM Journal of (8) A. Rabier, R. Spitalnik — Diode

dernos. Pouco a pouco estes compo­ Res. & Dev. Vol. 10. nP4, p. 310 Characterization and Circuit Op­

nentes tenderão a substituir as válvulas (July 1966). timization for Transferred Electron

de onda progressiva (TWT), permitin­ (3) L. Armstrong — High Efficiency

do uma verdadeira integração de X-band GaAs IMP ATT Diodes Amplifiers Proceedings of 1973

funções. IEEE Tr. on ED, Vol. 15, p. 938 European Microwave Conf. Vol.
1, paper A.6.1 (September 1973).

(1968).

Nosso propósito neste trabalho foi dar (4) K. Kurokawa — Injection Locking (9) M.R. Harris, W.C. Tsai, S.F. Paik

uma visão global destes componentes, of Microwave Solid State Os­ — C-Band Solid State TWT

desde a fabricação até suas aplicações cillators Proc. of IEEE, Vol. 61, NP Replacement G-MTT 1975 Inter­

em sistemas. Tudo isto a fim de permi­ 10, p. 1386 (October 1973). national Microwave Symp Digest

tir a projetistas e utilizadores uma maior (5) Y. Ito, H. Komizo, S. Sasagawa — p. 79 (May 1975).

compreensão dos conceitos envol­ Cavity Stabilized X-band Gunn (10) Varian Note 87-700-007 Gunn Ef­

vidos. Oscillator G-MTT 1970 Interna­ fect Amplifiers.

tional Microwave Symp. Digest — (11) R.S. Pengelly — Broadband Lum­

p. 174 (May 1970). ped Element X-Band GaAs FET

(6) Morris, J. Gewartowski — A Amplifiers Proceedings 5 ^ Eu­

1watt, 6 GHz IMP A TT Amplifier ropean Microwave Conf. p. 301

for Short Haul Radio Applications (September 1975).

Agradecimento B.S.T.J. Vol. 54, NP 4, p. 721 (12) Avantek - ATP 1030/9/75, p. 7.

(April 1975). (13) Fujitsu/Components Div. — High

Agradecemos ao EngP Fabio Concilio (7) I. Tatsuguchi, J. Gewartowski — Linear Power FET. Microwave

por sua colaboração na confecção A 10w 6 GHz GaAs IMP ATT Am­ Journal — Vol. 19, NP 2, p. 53

deste trabalho. plifier for Microwave Radio Sys- (Feb. 1976). •

AMPLIANDO

O ALCANCE DAS

CENTRAIS URBANAS

0 novo Extensor de Enlace MlCfíOLAB-ML-EE-3500

é capaz de prover sinalização até uma impedânda de enlace

de 3500 ohms mais o telefone de assinante, garantindo

uma corrente mínima de 20 mA no circuito de conversação

0 Repetidor de Frequência de Voz MICROLA8-ML-RFV

é um repetidor bilateral, de baixo custo, para uso em pontos
MICROLAB ELETRÔNICA S .A .
terminais de linhas pupinizadas padrão D66 ou H88

Seu ganho pode variar de 2 a 6 5 dB
RUA FLÁVIA FARNESE, 520
Ambos os equipamentos são transistorizados, proporcionando

baixo consumo e m im m a dissipação de calor TELS. 260-8540 260-7810

E como maior vantagem, ambos utilizam apenas componentes
RIO DE JANEIRO

encontrados no mercado interno