Page 46 - Telebrasil - Julho/Agosto 1976

COMPONENTES MODERNOS 111.2.3. Amplificadores a transistor onde

a feito de campo

fig, 18. Uma vez determinada Zd(to) se F min = Fator de ruído mínimo.

procede à síntese do circuito que dará 0 transistor FET a Arseneto de Gálio Rgo + jXgo = Impedância de entrada a

o ganho e banda requeridos, em geral merece um parágrafo a parte, dadas apresentar ao componente para obter

com otimização por computador^- suas características excepcionais em F min

microondas (até 15 GHz por enquan­

to). Seguramente nos próximos anos Gn = Parâmetro de ruído.

estarão preenchendo todas as funções Rg + jXg = Impedância da fonte.

realizadas atualmente por outros com­

ponentes, permitindo, ainda, uma ver­

dadeira integração monolítica de fun­

ções em microondas (pré-amplificador, 1 - S1 1 's

misturador, oscilador, amplificador de

1 -
potência). ^ ^ Dispositivos com fa­

tores de ruído de 3 dB a 6 GHz e

freqüência de corte de 55 GHz já são
onde

comercializados.

rS, rL = Coeficientes de reflexão dos

0 método de projeto de amplificadores
circuitos de entrada e saída

de microondas a FET é bastante similar
vistos pelo transistor.
ao utilizado em amplificadores a re­

flexão. Unicamente que para este caso

S n , S21, S2Z = Parâmetros de espa­
é preciso conhecerem-se os quatro pa­
lhamento do tran­

râmetros de espalhamento e os quatro
sistor.

de ruído do componente, a fim de se

calcularem os circuitos adaptadores de Como exemplo de realização citaremos:

entrada e saída.

— amplificadores CNET para comuni­
Aqui também os lugares geométricos
cações por satélite, cujas caracterís­

dos circuitos de ruído ou ganho cons­
ticas podem ser vistas na figura 19.

tante sao circunferências, de acordo

com as fórmulas:
— amplificador Avantek(12) AW —

6401

Gn

F -• F min 4------- Os exemplos citados são aplicações

Rg para baixo ruído para utilização comc

pré-amplificadores, mas já se anunciam

FET's de potência, capazes de 2,5 Watt
£<Rg - ’Rgo)2 f (Xg Xgo)*>

a 6 GHz.(13)

Fig. 18 Montagem de medida (Trabalho do

autor I

A teoria de ruído vista para sistemas a

injeção também pode ser aplicada ao

caso de amplificadores a reflexão.

Como exemplos de realização, po­ V

demos citar: \ \

\

• v

— Amplificador Raytheon ^ ) formado \ \

por estágios a Gunn e IMPATT com as MUlCK) \

seguintes características:

anda 5,9 a 6,4 GHz

Ganho 40 dB

Potência 10 W

Fator de ruído 22,5 dB V»*|

• I I I I • ' • » I -
b .r íl*

OMH ..
Série de amplificadores Varian a C m * a n , » 1 4 n »

efeito Gunn^O^ para diferentes ban­

das. Fig. 19 Características do amplificador FEF